IRF6618TRPBF

Infineon Technologies

Produkt-Nr.:

IRF6618TRPBF

Hersteller:

Paket:

DIRECTFET™ MT

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET

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Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5640 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	65 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.2mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package	DIRECTFET™ MT
Vgs(th) (Max) @ Id	2.35V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	HEXFET®
Power Dissipation (Max)	2.8W (Ta), 89W (Tc)
Package / Case	DirectFET™ Isometric MT
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	30A (Ta), 170A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	IRF6618