IRF6641TRPBF

International Rectifier

Produkt-Nr.:

IRF6641TRPBF

Hersteller:

Paket:

DIRECTFET™ MZ

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Datenblatt:

Beschreibung:

IRF6641 - 12V-300V N-CHANNEL POW

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Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2290 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	48 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	59.9mOhm @ 5.5A, 10V
Supplier Device Package	DIRECTFET™ MZ
Vgs(th) (Max) @ Id	4.9V @ 150µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	200 V
Series	HEXFET®
Power Dissipation (Max)	2.8W (Ta), 89W (Tc)
Package / Case	DirectFET™ Isometric MZ
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	International Rectifier
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4.6A (Ta), 26A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Bulk
Base Product Number	IRF6641