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IRF7311TRPBF

Infineon Technologies

Produkt-Nr.:

IRF7311TRPBF

Paket:

8-SO

Charge:

-

Datenblatt:

-

Beschreibung:

MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC

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Produkt informationen

Parameter-Info

Benutzer handbuch

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature Logic Level Gate
Configuration 2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 4.5V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29mOhm @ 6A, 4.5V
Supplier Device Package 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Series HEXFET®
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max 2W
Mfr Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.6A
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number IRF731