IRF7907TRPBF

Infineon Technologies

Produkt-Nr.:

IRF7907TRPBF

Hersteller:

Paket:

8-SO

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SO

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 10096

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	Logic Level Gate
Configuration	2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	850pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 4.5V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16.4mOhm @ 9.1A, 10V
Supplier Device Package	8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id	2.35V @ 25µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Series	HEXFET®
Package / Case	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max	2W
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	9.1A, 11A
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	IRF7907