IRFD9113

Harris Corporation

Produkt-Nr.:

IRFD9113

Hersteller:

Paket:

4-DIP, Hexdip, HVMDIP

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

-0.6A, -80V, 1.6 OHM, P-CHANNEL

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Operating Temperature	-
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15 nC @ 15 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.6Ohm @ 300mA, 10V
Supplier Device Package	4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id	-
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	-
Package / Case	4-DIP (0.300", 7.62mm)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Harris Corporation
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	600mA (Ta)
Package	Bulk
Base Product Number	IRFD9113