IRFH6200TRPBF

Infineon Technologies

Produkt-Nr.:

IRFH6200TRPBF

Hersteller:

Paket:

8-PQFN (5x6)

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	10890 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	230 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.95mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package	8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id	1.1V @ 150µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Series	HEXFET®
Power Dissipation (Max)	3.6W (Ta), 156W (Tc)
Package / Case	8-PowerVDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	49A (Ta), 100A (Tc)
Vgs (Max)	±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	IRFH6200