IRFH8316TRPBF-IR

International Rectifier

Produkt-Nr.:

IRFH8316TRPBF-IR

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8-PQFN (5x6)

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Beschreibung:

IRFH8316 - HEXFET POWER MOSFET

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3610 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	59 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.95mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package	8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 50µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	HEXFET®
Power Dissipation (Max)	3.6W (Ta), 59W (Tc)
Package / Case	8-PowerTDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	International Rectifier
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	27A (Ta), 50A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Bulk