IRFIB7N50APBF

Vishay Siliconix

Produkt-Nr.:

IRFIB7N50APBF

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TO-220-3

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Beschreibung:

MOSFET N-CH 500V 6.6A TO220-3

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1423 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	52 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	520mOhm @ 4A, 10V
Supplier Device Package	TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	500 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	60W (Tc)
Package / Case	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	6.6A (Tc)
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	IRFIB7