minImg

IRFM220BTF

Fairchild Semiconductor

Produkt-Nr.:

IRFM220BTF

Paket:

SOT-223-4

Charge:

-

Datenblatt:

-

Beschreibung:

N-CHANNEL POWER MOSFET

Menge:

Lieferung:

1.webp 4.webp 5.webp 2.webp 3.webp

Zahlung:

paypal.webp paypal02.webp paypal03.webp paypal04.webp

Auf Lager : 70310

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

  • 951

    $0.304

    $289.104

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Certif02 Certif07 Certif03 Certif04 Certif08 Certif10 Certif09 Certif05 Certif06

Produkt informationen

Parameter-Info

Benutzer handbuch

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 570mA, 10V
Supplier Device Package SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Series -
Power Dissipation (Max) 2.4W (Tc)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Mfr Fairchild Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.13A (Tc)
Vgs (Max) ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Package Bulk