IRFS4229TRLPBF

Infineon Technologies

Produkt-Nr.:

IRFS4229TRLPBF

Hersteller:

Paket:

PG-TO263-3

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK

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Operating Temperature	-40°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4560 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	110 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	48mOhm @ 26A, 10V
Supplier Device Package	PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	250 V
Series	HEXFET®
Power Dissipation (Max)	330W (Tc)
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	45A (Tc)
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	IRFS4229