IRFU120ATU

Fairchild Semiconductor

Produkt-Nr.:

IRFU120ATU

Hersteller:

Paket:

I-PAK

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 8.4A IPAK

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 2580

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	480 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	200mOhm @ 4.2A, 10V
Supplier Device Package	I-PAK
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta), 32W (Tc)
Package / Case	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Fairchild Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	8.4A (Tc)
Vgs (Max)	-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube