IRL100HS121

Infineon Technologies

Produkt-Nr.:

IRL100HS121

Hersteller:

Paket:

6-PQFN (2x2) (DFN2020)

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 11A 6PQFN

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 4000

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	440 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.6 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	42mOhm @ 6.7A, 10V
Supplier Device Package	6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Vgs(th) (Max) @ Id	2.3V @ 10µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	11.5W (Tc)
Package / Case	6-PowerVDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	11A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	IRL100