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IRL530NSTRLPBF

Infineon Technologies

Produkt-Nr.:

IRL530NSTRLPBF

Paket:

D2PAK

Charge:

-

Datenblatt:

-

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK

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Produkt informationen

Parameter-Info

Benutzer handbuch

Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature -
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 5 V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 9A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Mfr Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A (Tc)
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number IRL530