IRL6342TRPBF

Infineon Technologies

Produkt-Nr.:

IRL6342TRPBF

Hersteller:

Paket:

8-SO

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SO

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 30974

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1025 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Not For New Designs
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14.6mOhm @ 9.9A, 4.5V
Supplier Device Package	8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id	1.1V @ 10µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	HEXFET®
Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta)
Package / Case	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	9.9A (Ta)
Vgs (Max)	±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	IRL6342