IRL6372TRPBF

Infineon Technologies

Produkt-Nr.:

IRL6372TRPBF

Hersteller:

Paket:

8-SO

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIC

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	Logic Level Gate
Configuration	2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1020pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 4.5V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V
Supplier Device Package	8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id	1.1V @ 10µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Series	HEXFET®
Package / Case	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max	2W
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	8.1A
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	IRL6372