IRLR210ATM

Fairchild Semiconductor

Produkt-Nr.:

IRLR210ATM

Hersteller:

Paket:

TO-252, (D-Pak)

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 200V 2.7A DPAK

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	240 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9 nC @ 5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5Ohm @ 1.35A, 5V
Supplier Device Package	TO-252, (D-Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	200 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta), 21W (Tc)
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Fairchild Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2.7A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Package	Bulk