IRLS620A

Fairchild Semiconductor

Produkt-Nr.:

IRLS620A

Hersteller:

Paket:

TO-220F

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

N-CHANNEL POWER MOSFET

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15 nC @ 5 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	800mOhm @ 2.05A, 5V
Supplier Device Package	TO-220F
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	200 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	26W (Tc)
Package / Case	TO-220-3 Full Pack
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Fairchild Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4.1A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Package	Bulk