IXFH50N85X

IXYS

Produkt-Nr.:

IXFH50N85X

Hersteller:

Paket:

TO-247 (IXTH)

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 850V 50A TO247

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 1185

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4480 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	152 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	105mOhm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package	TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id	5.5V @ 4mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	850 V
Series	HiPerFET™, Ultra X
Power Dissipation (Max)	890W (Tc)
Package / Case	TO-247-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	50A (Tc)
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	IXFH50