IXFR200N10P

IXYS

Produkt-Nr.:

IXFR200N10P

Hersteller:

Paket:

ISOPLUS247™

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 133A ISOPLUS247

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	7600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	235 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9mOhm @ 100A, 10V
Supplier Device Package	ISOPLUS247™
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 8mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Series	HiPerFET™, Polar
Power Dissipation (Max)	300W (Tc)
Package / Case	TO-247-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	133A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Box
Base Product Number	IXFR200