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IXTA50N20P

IXYS

Produkt-Nr.:

IXTA50N20P

Hersteller:

IXYS

Paket:

TO-263AA

Charge:

-

Datenblatt:

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Beschreibung:

MOSFET N-CH 200V 50A TO263

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Produkt informationen

Parameter-Info

Benutzer handbuch

Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature -
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2720 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package TO-263AA
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Series Polar
Power Dissipation (Max) 360W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Mfr IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc)
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Package Tube
Base Product Number IXTA50