IXTK200N10P

IXYS

Produkt-Nr.:

IXTK200N10P

Hersteller:

Paket:

TO-264 (IXTK)

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Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 200A TO264

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	7600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	240 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.5mOhm @ 100A, 10V
Supplier Device Package	TO-264 (IXTK)
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 500µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Series	Polar
Power Dissipation (Max)	800W (Tc)
Package / Case	TO-264-3, TO-264AA
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	200A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	IXTK200