IXTN660N04T4

IXYS

Produkt-Nr.:

IXTN660N04T4

Hersteller:

Paket:

SOT-227B

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 40V 660A SOT227B

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	44000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	860 nC @ 10 V
Mounting Type	Chassis Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.85mOhm @ 100A, 10V
Supplier Device Package	SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Series	Trench
Power Dissipation (Max)	1040W (Tc)
Package / Case	SOT-227-4, miniBLOC
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	660A (Tc)
Vgs (Max)	±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	IXTN660