IXTT4N150HV

IXYS

Produkt-Nr.:

IXTT4N150HV

Hersteller:

Paket:

TO-268AA

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 1500V 4A TO268

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 20

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1576 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	44.5 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package	TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	1500 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	280W (Tc)
Package / Case	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4A (Tc)
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	IXTT4