IXTX32P60P

IXYS

Produkt-Nr.:

IXTX32P60P

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PLUS247™-3

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Beschreibung:

MOSFET P-CH 600V 32A PLUS247-3

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	11100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	196 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	350mOhm @ 16A, 10V
Supplier Device Package	PLUS247™-3
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Series	PolarP™
Power Dissipation (Max)	890W (Tc)
Package / Case	TO-247-3 Variant
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	32A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	IXTX32