MSC080SMA120B4

Microchip Technology

Produkt-Nr.:

MSC080SMA120B4

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Paket:

TO-247-4

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Datenblatt:

Beschreibung:

SICFET N-CH 1200V 37A TO247-4

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	838 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	64 nC @ 20 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100mOhm @ 15A, 20V
Supplier Device Package	TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id	2.8V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	200W (Tc)
Package / Case	TO-247-4
Technology	SiCFET (Silicon Carbide)
Mfr	Microchip Technology
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	37A (Tc)
Vgs (Max)	+23V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Package	Tube
Base Product Number	MSC080