MSC080SMA330B4

Microchip Technology

Produkt-Nr.:

MSC080SMA330B4

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TO-247-4

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Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET SIC 3300 V 80 MOHM TO-247

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3462 pF @ 2400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	55 nC @ 20 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	105mOhm @ 30A, 20V
Supplier Device Package	TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id	2.97V @ 3mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	3300 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	381W (Tc)
Package / Case	TO-247-4
Technology	SiCFET (Silicon Carbide)
Mfr	Microchip Technology
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	41A (Tc)
Vgs (Max)	+23V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Package	Bulk
Base Product Number	MSC080