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MSCSM120TLM08CAG

Microchip Technology

Produkt-Nr.:

MSCSM120TLM08CAG

Paket:

SP6C

Charge:

-

Datenblatt:

-

Beschreibung:

PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C

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Produkt informationen

Parameter-Info

Benutzer handbuch

Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature -
Configuration 4 N-Channel (Three Level Inverter)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 12000pF @ 1000V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 928nC @ 20V
Mounting Type Chassis Mount
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.8mOhm @ 80A, 20V
Supplier Device Package SP6C
Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 4mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
Series -
Package / Case Module
Technology Silicon Carbide (SiC)
Power - Max 1378W (Tc)
Mfr Microchip Technology
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 333A (Tc)
Package Bulk
Base Product Number MSCSM120