MSCSM170HM12CAG

Microchip Technology

Produkt-Nr.:

MSCSM170HM12CAG

Hersteller:

Paket:

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 13

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	-40°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
Configuration	4 N-Channel (Full Bridge)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	9900pF @ 1000V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	534nC @ 20V
Mounting Type	Chassis Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15mOhm @ 90A, 20V
Supplier Device Package	-
Vgs(th) (Max) @ Id	3.2V @ 7.5mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	1700V (1.7kV)
Series	-
Package / Case	Module
Technology	Silicon Carbide (SiC)
Power - Max	843W (Tc)
Mfr	Microchip Technology
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	179A (Tc)
Package	Bulk
Base Product Number	MSCSM170