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MT3S111(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Produkt-Nr.:

MT3S111(TE85L,F)

Paket:

S-Mini

Charge:

-

Datenblatt:

-

Beschreibung:

RF TRANS NPN 6V 11.5GHZ SMINI

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Produkt informationen

Parameter-Info

Benutzer handbuch

Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition 11.5GHz
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Mounting Type Surface Mount
Product Status Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 6V
Supplier Device Package S-Mini
Series -
Transistor Type NPN
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max 700mW
Mfr Toshiba Semiconductor and Storage
Noise Figure (dB Typ @ f) 1.2dB @ 1GHz
Package Tape & Reel (TR)
Gain 12dB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 30mA, 5V
Base Product Number MT3S111