MT3S113P(TE12L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Produkt-Nr.:

MT3S113P(TE12L,F)

Hersteller:

Paket:

PW-MINI

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Datenblatt:

Beschreibung:

RF TRANS NPN 5.3V 7.7GHZ PW-MINI

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Operating Temperature	150°C (TJ)
Frequency - Transition	7.7GHz
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	5.3V
Supplier Device Package	PW-MINI
Series	-
Transistor Type	NPN
Package / Case	TO-243AA
Power - Max	1.6W
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Noise Figure (dB Typ @ f)	1.45dB @ 1GHz
Package	Tape & Reel (TR)
Gain	10.5dB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 30mA, 5V
Base Product Number	MT3S113