N0600N-S17-AY

Renesas Electronics America Inc

Produkt-Nr.:

N0600N-S17-AY

Hersteller:

Paket:

TO-220

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Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 60V 30A TO220

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Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1380 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	29.8 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	36mOhm @ 15A, 4.5V
Supplier Device Package	TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id	-
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	2W (Ta), 20W (Tc)
Package / Case	TO-220-3 Isolated Tab
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Renesas Electronics America Inc
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	30A (Ta)
Package	Tube