NP16N06YLL-E1-AY

Renesas Electronics America Inc

Produkt-Nr.:

NP16N06YLL-E1-AY

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8-HSON (5x5.4)

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Datenblatt:

Beschreibung:

ABU / MOSFET

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Operating Temperature	175°C
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35mOhm @ 8A, 10V
Supplier Device Package	8-HSON (5x5.4)
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	1.25W (Ta), 27.3W (Tc)
Package / Case	8-PowerLDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Renesas Electronics America Inc
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	16A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)