NP29N04QUK-E1-AY

Renesas Electronics America Inc

Produkt-Nr.:

NP29N04QUK-E1-AY

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8-HSON (5x5.4)

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Datenblatt:

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ABU / MOSFET

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Operating Temperature	175°C
FET Feature	-
Configuration	2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1500pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	29nC @ 10V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.1mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package	8-HSON (5x5.4)
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Series	Automotive, AEC-Q101
Package / Case	8-PowerLDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max	1W (Ta), 44W (Tc)
Mfr	Renesas Electronics America Inc
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	30A (Tc)
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	NP29