NP29N06QDK-E1-AY

Renesas Electronics America Inc

Produkt-Nr.:

NP29N06QDK-E1-AY

Hersteller:

Paket:

8-HSON (5x5.4)

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

ABU / MOSFET

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 2440

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	175°C
FET Feature	-
Configuration	2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1500pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	24nC @ 10V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package	8-HSON (5x5.4)
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Series	Automotive, AEC-Q101
Package / Case	8-PowerLDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max	1W (Ta), 44W (Tc)
Mfr	Renesas Electronics America Inc
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	30A (Ta)
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	NP29