NP82N04MUG-S18-AY

Renesas Electronics America Inc

Produkt-Nr.:

NP82N04MUG-S18-AY

Hersteller:

Paket:

TO-220-3

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Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 40V 82A TO220-3

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Operating Temperature	175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	9750 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	160 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.2mOhm @ 41A, 10V
Supplier Device Package	TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	1.8W (Ta), 143W (Tc)
Package / Case	TO-220-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Renesas Electronics America Inc
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	82A (Tc)
Package	Tube