NTBG014N120M3P

onsemi

Produkt-Nr.:

NTBG014N120M3P

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Paket:

D2PAK-7

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Datenblatt:

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SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6313 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	337 nC @ 18 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20mOhm @ 74A, 18V
Supplier Device Package	D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id	4.63V @ 37mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	454W (Tc)
Package / Case	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Technology	SiCFET (Silicon Carbide)
Mfr	onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	104A (Tc)
Vgs (Max)	+22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	15V, 18V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	NTBG014