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NTBGS001N06C

onsemi

Produkt-Nr.:

NTBGS001N06C

Hersteller:

onsemi

Paket:

D2PAK (TO-263)

Charge:

-

Datenblatt:

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Beschreibung:

POWER MOSFET, 60 V, 1.1 M?, 342

Menge:

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Produkt informationen

Parameter-Info

Benutzer handbuch

Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature -
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 11110 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 139 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1mOhm @ 112A, 12V
Supplier Device Package D2PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 562µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Series -
Power Dissipation (Max) 3.7W (Ta), 245W (Tc)
Package / Case TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Mfr onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 42A (Ta), 342A (Tc)
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V, 12V
Package Tape & Reel (TR)