NTD600N80S3Z

onsemi

Produkt-Nr.:

NTD600N80S3Z

Hersteller:

Paket:

D-PAK (TO-252)

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET POWER, N-CHANNEL, SUPERFE

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 63

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	725 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15.5 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Not For New Designs
Rds On (Max) @ Id, Vgs	600mOhm @ 4A, 10V
Supplier Device Package	D-PAK (TO-252)
Vgs(th) (Max) @ Id	3.8V @ 180µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	800 V
Series	SuperFET® III
Power Dissipation (Max)	60W (Tc)
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	8A (Tj)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)