NTLJS3113PT1G

onsemi

Produkt-Nr.:

NTLJS3113PT1G

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6-WDFN (2x2)

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET P-CH 20V 3.5A 6WDFN

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1329 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15.7 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	40mOhm @ 3A, 4.5V
Supplier Device Package	6-WDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Series	µCool™
Power Dissipation (Max)	700mW (Ta)
Package / Case	6-WDFN Exposed Pad
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3.5A (Ta)
Vgs (Max)	±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	NTLJS3113