NTLJS3D0N02P8ZTAG

onsemi

Produkt-Nr.:

NTLJS3D0N02P8ZTAG

Hersteller:

Paket:

6-PQFN (2x2)

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 20V 12.1A 6PQFN

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 4066

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2165 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	21 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.8mOhm @ 10A, 4.5V
Supplier Device Package	6-PQFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	860mW (Ta)
Package / Case	6-PowerWDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	12.1A (Ta)
Vgs (Max)	±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	NTLJS3