NTMFD1D4N02P1E

onsemi

Produkt-Nr.:

NTMFD1D4N02P1E

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8-PQFN (5x6)

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Beschreibung:

MOSFET N-CH 20V 8PQFN

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Configuration	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1180pF @ 13V, 3603pF @ 13V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.2nC @ 4.5V, 21.5nC @ 4.5V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.3mOhm @ 20A, 10V, 1.1mOhm @ 37A, 10V
Supplier Device Package	8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA, 2V @ 800µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V
Series	-
Package / Case	8-PowerWDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max	960mW (Ta), 1W (Ta)
Mfr	onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	13A (Ta), 74A (Tc), 24A (Ta), 155A (Tc)
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	NTMFD1