NTR2101PT1G

onsemi

Produkt-Nr.:

NTR2101PT1G

Hersteller:

Paket:

SOT-23-3 (TO-236)

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Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET P-CH 8V SOT23-3

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1173 pF @ 4 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	52mOhm @ 3.5A, 4.5V
Supplier Device Package	SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	8 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	960mW (Ta)
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3.7A (Ta)
Vgs (Max)	±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	NTR2101