NTTFS012N10MDTAG

onsemi

Produkt-Nr.:

NTTFS012N10MDTAG

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8-WDFN (3.3x3.3)

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PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET, U8

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	965 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14.4mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package	8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 78µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	2.7W (Ta), 62W (Tc)
Package / Case	8-PowerWDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	9.2A (Ta), 45A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)