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NVJD4152PT1G

onsemi

Produkt-Nr.:

NVJD4152PT1G

Hersteller:

onsemi

Paket:

SC-88/SC70-6/SOT-363

Charge:

-

Datenblatt:

-

Beschreibung:

NVJD4152 - Dual P-Channel Trench

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Produkt informationen

Parameter-Info

Benutzer handbuch

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature Standard
Configuration 2 P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 155pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.2nC @ 4.5V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 260mOhm @ 880mA, 4.5V
Supplier Device Package SC-88/SC70-6/SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Series Automotive, AEC-Q101
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max 272mW (Ta)
Mfr onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 880mA (Ta)
Package Bulk