NVMFWS005N10MCLT1G

onsemi

Produkt-Nr.:

NVMFWS005N10MCLT1G

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5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)

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PTNG 100V LL SO8FL

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4100 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	55 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount, Wettable Flank
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.1mOhm @ 34A, 10V
Supplier Device Package	5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 192µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Series	Automotive, AEC-Q101
Power Dissipation (Max)	3.8W (Ta), 131W (Tc)
Package / Case	8-PowerTDFN, 5 Leads
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	18.4A (Ta), 108A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)