NVMS5P02R2G

onsemi

Produkt-Nr.:

NVMS5P02R2G

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Paket:

8-SOIC

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MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1900 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	35 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	33mOhm @ 5.4A, 4.5V
Supplier Device Package	8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id	1.25V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Series	Automotive, AEC-Q101
Power Dissipation (Max)	-
Package / Case	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3.95A (Ta)
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	NVMS5P02