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PDTB143EQA147

NXP USA Inc.

Produkt-Nr.:

PDTB143EQA147

Hersteller:

NXP USA Inc.

Paket:

DFN1010D-3

Charge:

-

Datenblatt:

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Beschreibung:

PDTB143EQA BJT PNP

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Produkt informationen

Parameter-Info

Benutzer handbuch

Frequency - Transition 150 MHz
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 2.5mA, 50mA
Resistor - Base (R1) 4.7 kOhms
Mounting Type Surface Mount
Product Status Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V
Supplier Device Package DFN1010D-3
Series PDTB143
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Package / Case 3-XDFN Exposed Pad
Power - Max 325 mW
Mfr NXP USA Inc.
Resistor - Emitter Base (R2) 4.7 kOhms
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Package Bulk
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 50mA, 5V
Base Product Number PDTB143