NXP USA Inc.
Produkt-Nr.:
PDTB143EQA147
Hersteller:
Paket:
DFN1010D-3
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-
Beschreibung:
PDTB143EQA BJT PNP
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| Frequency - Transition | 150 MHz |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 2.5mA, 50mA |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
| Supplier Device Package | DFN1010D-3 |
| Series | PDTB143 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
| Power - Max | 325 mW |
| Mfr | NXP USA Inc. |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7 kOhms |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Package | Bulk |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 50mA, 5V |
| Base Product Number | PDTB143 |