PJQ5866A_R2_00001

Panjit International Inc.

Produkt-Nr.:

PJQ5866A_R2_00001

Hersteller:

Paket:

DFN5060B-8

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

60V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT M

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 2794

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Configuration	2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1574pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13.5nC @ 4.5V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package	DFN5060B-8
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Series	-
Package / Case	8-PowerTDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max	1.7W (Ta), 56W (Tc)
Mfr	Panjit International Inc.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	7A (Ta), 40A (Tc)
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	PJQ5866