PMCM6501VNEZ

NXP USA Inc.

Produkt-Nr.:

PMCM6501VNEZ

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6-WLCSP (1.48x0.98)

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PMCM6501VNE - 12V, N-CHANNEL TRE

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	920 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	24 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18mOhm @ 3A, 4.5V
Supplier Device Package	6-WLCSP (1.48x0.98)
Vgs(th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	12 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	556mW (Ta), 12.5W (Tc)
Package / Case	6-XFBGA, WLCSP
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	NXP USA Inc.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	7.3A (Ta)
Vgs (Max)	±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Package	Bulk