PMPB08R6ENX

Nexperia USA Inc.

Produkt-Nr.:

PMPB08R6ENX

Hersteller:

Paket:

DFN2020MD-6

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 30V 11A DFN2020M-6

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 3720

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	840 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20.6 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.5mOhm @ 11A, 10V
Supplier Device Package	DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	TrenchMOS™
Power Dissipation (Max)	1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Package / Case	6-UDFN Exposed Pad
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Nexperia USA Inc.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	11A (Ta)
Vgs (Max)	±20V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	PMPB08